今年5月 ，阿卜杜拉国王科学技术大学（KAUST）颁发开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片 ，表量子效能（EQE）有所提升 ，对实现基于单一半导体资料的全彩化Micro LED显示器有沉要的推作为用。在此基础上 ，KAUST近期又获得了新的突破。
据表媒报路 ，KAUST开发了可在整个可见光光谱领域内高效发光的Micro LED（μLEDs）芯片 ，实现Micro LED的全彩化。目前 ，KAUST团队的有关论文已颁发在《光子学钻延追（Photonics Research）期刊上。
据介绍 ，氮合金是一种半导体资料 ，通过正确的化学混合 ，可能发出RGB三种色彩的光 ，有助于Micro LED实现RGB全彩化显示。然而 ，当氮化物芯片的尺寸缩幼至微米级时 ，发光效能也会随着变弱。
KAUST钻研团队对此作出具体的诠释：缩幼芯片尺寸面对的重要阻碍是在出产过程中LED结构的侧壁会被败坏 ，而缺点的产生则会导致漏电 ，进而影响芯片发光。并且 ，随着尺寸的微缩 ，这种景象会越发显著 ，因而LED芯片尺寸局限在400μm×400μm。
不外 ，KAUST团队在这个难题上实现了突破 ，开发出高亮度InGaN红光Micro LED芯片 ，尺寸为17μm×17μm。
据悉 ，钻研团队选取齐全校准的原子沉积技术研发出10×10的红光Micro LED阵列 ，并通过化学处置解除了对LED芯片结构侧壁的危险。通过原子级观察（必要专业工具及样品筹备） ，钻研团队确认 ，侧壁在经过化学处置后具备高结晶性。
凭据钻研团队观察 ，芯片表表每2平方毫米区域的输出功率高达1.76mW ，而以往的产品每2平方毫米区域的输出功率仅1mW ，相比之下 ，新产品的输出功率显著提升 ，意味着表量子发光效能显著提升。随后 ，钻研团队将红光Micro LED芯片与InGaN蓝绿光Micro LED芯片结合 ，以造作出广色域Micro LED器件。
KAUST以为 ，凭借高亮度、急剧响应速度、广色域、能耗低蹬着点 ，InGaN Micro LED将是下一代Micro LED头戴式监督器、挪着手机、电视等设备的梦想规划。下一步 ，KAUST团队将进一步提升Micro LED的效能 ，并将尺寸缩幼至10μm以下。
值妥贴心的是 ，在实现InGaN基Micro LED全彩化的路路上 ，晶能光电也获得了突破。
据LEDinside相识 ，晶能光电开发了硅衬底红光Micro LED芯片 ，并成功造备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列。不外 ，晶能也坦言 ，目前其红光Micro LED芯片的表量子效能的测试伎俩还必要进一步优化。
在更幼尺寸Micro LED芯片技术上 ，今年3月 ，美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）也已颁发初次展示了尺寸幼于10μm的InGaN基红光Micro LED芯片 ，不外同样面对表量子发光效能低的问题。据悉 ，这款芯片在晶圆丈量上测出的EQE仅为0.2%。
UCSB指出 ，Micro LED的表量子发光效能至少要达到2-5% ，才可能满足终端显示器的要求。UCSB的下一步打算是改善资料质量 ，优化出产步骤 ，以实现表量子效能的提升。
由此可见 ，在推动Micro LED实现全彩化和商用化上 ，各钻研团队仍有较长的一段路要走。但可喜的是 ，相比往年 ，今年各方在Micro LED技术上获得的进展均对Micro LED产业拥有关键性的推作为用 ，终端产品也逐步浮出水面 ，意味着厂商和消费者离Micro LED又近了一点。
起源：CINNO Research、LEDinside
2026-01-23 
